Hou, Tuo-hung: шукати на сайті Z-Library

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (112)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

Strained Silicon Technology: Mobility Enhancement and Improved Short Channel Effect Performance by Stress Memorization Technique on nFET Devices

Lu, Chih-Cheng, Huang, Jiun-Jia, Luo, Wun-Cheng, Hou, Tuo-Hung, Lei, Tan-Fu

Журнал:

Journal of The Electrochemical Society

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 165 KB

english, 2010

[IEEE 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) - Honolulu, HI, USA (2016.6.12-2016.6.13)] 2016 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) - Suspended Ge gate-all-around nanowire nFETs with junction isolation on bulk Si

Wan, Chia-Chen, Luo, Guang-Li, Hsu, Shu-Han, Hung, Kuo-Dong, Chu, Chun-Lin, Hou, Tuo-Hung, Su, Chun-Jun, Chen, Szu-Hung, Wu, Wen-Fa, Yeh, Wen-Kuan

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 949 KB

english, 2016

Nonvolatile molecular memory with the multilevel states based on MoS2 nanochannel field effect transistor through tuning gate voltage to control molecular configurations

Lan, Yann-Wen, Hong, Chuan-Jie, Chen, Po-Chun, Lin, Yun-Yan, Yang, Chih-Hao, Chu, Chia-Jung, Li, Ming-Yang, Li, Lain-Jong, Su, Chun-Jung, Wu, Bo-Wei, Hou, Tuo-Hung, Li, Kai-Shin, Zhong, Yuan-Liang

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 644 KB

english, 2020

Reversible transition of resistive switching induced by oxygen-vacancy and metal filaments in HfO2

Luo, Wun-Cheng, Hou, Tuo-Hung, Lin, Kuan-Liang, Lee, Yao-Jen, Lei, Tan-Fu

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 917 KB

english, 2013

Bipolar ${\rm Ni}/{\rm TiO}_{2}/{\rm HfO}_{2}/{\rm Ni}$ RRAM With Multilevel States and Self-Rectifying Characteristics

Hsu, Chung-Wei, Hou, Tuo-Hung, Chen, Mei-Chin, Wang, I-Ting, Lo, Chun-Li

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 687 KB

english, 2013

Improvement of junction leakage of nickel silicided junction by a Ti-capping layer

Tuo-Hung Hou,, Tan-Fu Lei,, Tien-Sheng Chao,

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

1999

Мова:

english

Файл:

PDF, 41 KB

english, 1999

32-nm Multigate Si-nTFET With Microwave-Annealed Abrupt Junction

Hou, Fu-Ju, Sung, Po-Jung, Hsueh, Fu-Kuo, Wu, Chien-Ting, Lee, Yao-Jen, Chang, Mao-Nang, Li, Yiming, Hou, Tuo-Hung

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.24 MB

english, 2015

Programmable Synaptic Metaplasticity and below Femtojoule Spiking Energy Realized in Graphene-Based Neuromorphic Memristor

Liu, Bo, Liu, Zhiwei, Chiu, In-Shiang, Di, MengFu, Wu, YongRen, Wang, Jer-Chyi, Hou, Tuo-Hung, Lai, Chao-Sung

Журнал:

ACS Applied Materials & Interfaces

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.50 MB

english, 2018

[IEEE 2018 IEEE International Memory Workshop (IMW) - Kyoto, Japan (2018.5.13-2018.5.16)] 2018 IEEE International Memory Workshop (IMW) - Study of Thyristor-Mode Dual-Channel NAND Flash Devices

Lo, Roger, Lue, Hang-Ting, Chen, Wei-Chen, Du, Pei-Ying, Hsu, Tzu-Hsuan, Hou, Tuo-Hung, Wang, Keh-Chung, Lu, Chih-Yuan

Рік:

2018

Файл:

PDF, 2.50 MB

2018

[IEEE 2019 Symposium on VLSI Technology - Kyoto, Japan (2019.6.9-2019.6.14)] 2019 Symposium on VLSI Technology - Extremely Compact Integrate-and-Fire STT-MRAM Neuron: A Pathway toward All-Spin Artificial Deep Neural Network

Wu, Ming-Hung, Hong, Ming-Chun, Chang, Chih-Cheng, Sahu, Paritosh, Wei, Jeng-Hua, Lee, Heng-Yuan, Shcu, Shyh-Shyuan, Hou, Tuo-Hung

Рік:

2019

Мова:

english

Файл:

PDF, 823 KB

english, 2019

SLIM: Simultaneous Logic-in-Memory Computing Exploiting Bilayer Analog OxRAM Devices

Kingra, Sandeep Kaur, Parmar, Vivek, Chang, Che-Chia, Hudec, Boris, Hou, Tuo-Hung, Suri, Manan

Журнал:

Scientific Reports

Рік:

2020

Мова:

english

Файл:

PDF, 7.21 MB

english, 2020

[IEEE 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) - Sevilla (2020.10.12-2020.10.14)] 2020 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) - Methodology for Realizing VMM with Binary RRAM Arrays: Experimental Demonstration of Binarized-ADALINE using OxRAM Crossbar

Kingra, Sandeep Kaur, Parmar, Vivek, Negi, Shubham, Khan, Sufyan, Hudec, Boris, Hou, Tuo-Hung, Suri, Manan

Рік:

2020

Файл:

PDF, 2.95 MB

2020

Fabrication and Characterization of High-k Dielectric Nickel Titanate Thin Films Using a Modified Sol–Gel Method

Shiow-Huey Chuang, Min-Lung Hsieh, Shih-Chieh Wu, Hong-Cai Lin, Tien-Sheng Chao, Tuo-Hung Hou

Журнал:

Journal of the American Ceramic Society

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 480 KB

english, 2011

Subnanometer Scaling of HfO[sub 2]/Metal Electrode Gate Stacks

Peterson, Jeff J., Young, Chadwin D., Barnett, Joel, Gopalan, Sundar, Gutt, Jim, Lee, Choong-Ho, Li, Hong-Jyh, Hou, Tuo-Hung, Kim, Yudong, Lim, Chan

Журнал:

Electrochemical and Solid-State Letters

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 691 KB

english, 2004

Electrode dependence of filament formation in HfO2 resistive-switching memory

Lin, Kuan-Liang, Hou, Tuo-Hung, Shieh, Jiann, Lin, Jun-Hung, Chou, Cheng-Tung, Lee, Yao-Jen

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 3.40 MB

english, 2011

[IEEE 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2011.12.5-2011.12.7)] 2011 International Electron Devices Meeting - One selector-one resistor (1S1R) crossbar array for high-density flexible memory applications

Huang, Jiun-Jia, Yi-Ming Tseng,, Wun-Cheng Luo,, Chung-Wei Hsu,, Hou, Tuo-Hung

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 578 KB

english, 2011

Stackable nonvolatile memory with ultra thin polysilicon film and low-leakage (Ti, Dy)xOy for low processing temperature and low operating voltages

Jaegoo Lee, Judy J. Cha, Sara Barron, David A. Muller, R. Bruce van Dover, Ebenezer K. Amponsah, Tuo-Hung Hou, Hassan Raza, Edwin C. Kan

Журнал:

Microelectronic Engineering

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 879 KB

english, 2011

Rapid Prediction of RRAM RESET-State Disturb by Ramped Voltage Stress

Wun-Cheng Luo, Kuan-Liang Lin, Jiun-Jia Huang, Chung-Lun Lee, Tuo-Hung Hou

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 367 KB

english, 2012

Nonvolatile memory with a metal nanocrystal/nitride heterogeneous floating-gate

Chungho Lee, Tuo-Hung Hou, Kan, E.C.-C.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.15 MB

english, 2005

Design Optimization of Metal Nanocrystal Memory—Part II: Gate-Stack Engineering

Tuo-Hung Hou, Chungho Lee, Venkat Narayanan, Udayan Ganguly, Edwin Chihchuan Kan

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 382 KB

english, 2006

Design Optimization of Metal Nanocrystal Memory—Part I: Nanocrystal Array Engineering

Tuo-Hung Hou, Chungho Lee, Venkat Narayanan, Udayan Ganguly, Edwin Chihchuan Kan

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 524 KB

english, 2006

Statistical Metrology of Metal Nanocrystal Memories With 3-D Finite-Element Analysis

Shaw, J., Tuo-Hung Hou, Raza, H., Kan, E.C.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 843 KB

english, 2009

Integration of Self-Assembled Redox Molecules in Flash Memory Devices

Shaw, J., Yu-Wu Zhong, Hughes, K.J., Tuo-Hung Hou, Raza, H., Rajwade, S., Bellfy, J., Engstrom, J.R., Abruña, H.D., Kan, E.C.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 401 KB

english, 2011

Redox Molecules for a Resonant Tunneling Barrier in Nonvolatile Memory

Shaw, T., Qianyin Xu, Rajwade, S., Tuo-Hung Hou, Kan, E.C.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 461 KB

english, 2012

Polycrystalline silicon thin-film transistor with nickel–titanium oxide by sol–gel spin-coating and nitrogen implantation

Wu, Shih-Chieh, Hou, Tuo-Hung, Chuang, Shiow-Huey, Chou, Hsin-Chih, Chao, Tien-Sheng, Lei, Tan-Fu

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 958 KB

english, 2012

Dependence of Read Margin on Pull-Up Schemes in High-Density One Selector–One Resistor Crossbar Array

Lo, Chun-Li, Hou, Tuo-Hung, Chen, Mei-Chin, Huang, Jiun-Jia

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.10 MB

english, 2013

Homogeneous barrier modulation of TaO x /TiO 2 bilayers for ultra-high endurance three-dimensional storage-class memory

Hsu, Chung-Wei, Wang, Yu-Fen, Wan, Chia-Chen, Wang, I-Ting, Chou, Chun-Tse, Lai, Wei-Li, Lee, Yao-Jen, Hou, Tuo-Hung

Журнал:

Nanotechnology

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2014

[IEEE 2012 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) - Hsinchu (2012.04.23-2012.04.25)] Proceedings of Technical Program of 2012 VLSI Technology, System and Application - Logic/resistive-switching hybrid transistor for two-bit-per-cell storage

Shih-Chieh Wu,, Chieh Lo,, Tuo-Hung Hou,

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 491 KB

english, 2012

[IEEE 13th International Workshop on Computational Electronics (IWCE) - Beijing, China (2009.05.27-2009.05.29)] 2009 13th International Workshop on Computational Electronics - 3D Finite-Element Analysis of Metal Nanocrystal Memories Variations

Shaw, Jonathan T., Hou, Tuo-Hung, Raza, Hassan, Kan, Edwin C.

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 696 KB

english, 2009

[IEEE 2013 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) - Hsinchu (2013.4.22-2013.4.24)] 2013 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) - On the potential of CRS, 1D1R, and 1S1R crossbar RRAM for storage-class memory

Chun-Li Lo,, Mei-Chin Chen,, Jiun-Jia Huang,, Tuo-Hung Hou,

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 767 KB

english, 2013

[IEEE 2006 64th Device Research Conference - State College, PA, USA (2006.06.26-2006.06.28)] 2006 64th Device Research Conference - 3-D Electrostatic Modeling and Impact of High-κ Control Oxide in Metal Nanocrystal Memory

Hou, Tuo-hung, Lee, Chungho, Narayanan, Venkat, Ganguly, Udayan, Kan, Edwin

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.13 MB

english, 2006

[IEEE 2009 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2009) - College Park, MD (2009.12.9-2009.12.11)] 2009 International Semiconductor Device Research Symposium - Room-temperature TiOx oxide diode for 1D1R resistance-switching memory

Jiun-Jia Huang,, Guan-Liang Lin,, Chih-Wei Kuo,, Wei-Chen Chang,, Tuo-Hung Hou,

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 306 KB

english, 2009

[IEEE 2008 IEEE International SOI Conference - New Paltz, NY (2008.10.6-2008.10.9)] 2008 IEEE International SOI Conference - Material and electrical characterization of stackable planar polysilicon TFT flash memory cell with metal nanocrystals and high-k dielectrics

Lee, Jaegoo, Cha, Judy J., Barron, Sara C., Muller, David A., van Dover, R. Bruce, Amponsah, Ebenezer K., Hou, Tuo-Hung, Raza, Hassan, Kan, Edwin C.

Рік:

2008

Мова:

english

Файл:

PDF, 481 KB

english, 2008

Asymmetric electric field enhancement in nanocrystal memories

Chungho Lee,, Ganguly, U., Narayanan, V., Tuo-Hung Hou,, Jinsook Kim,, Kan, E.C.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 322 KB

english, 2005

Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors Compatible With Roll-to-Roll Fabrication at Room Temperature

Yu, Ming-Jiue, Yeh, Yung-Hui, Cheng, Chun-Cheng, Lin, Chang-Yu, Ho, Geng-Tai, Lai, Benjamin Chih-Ming, Leu, Chyi-Ming, Hou, Tuo-Hung, Chan, Yi-Jen

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 350 KB

english, 2012

Flexible Three-Bit-Per-Cell Resistive Switching Memory Using a-IGZO TFTs

Wu, Shih-Chieh, Feng, Hsien-Tsung, Yu, Ming-Jiue, Wang, I-Ting, Hou, Tuo-Hung

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 978 KB

english, 2013

[IEEE 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2012.12.10-2012.12.13)] 2012 International Electron Devices Meeting - RRAM SET speed-disturb dilemma and rapid statistical prediction methodology

Luo, Wun-Cheng, Liu, Jen-Chieh, Feng, Hsien-Tsung, Lin, Yen-Chuan, Huang, Jiun-Jia, Lin, Kuan-Liang, Hou, Tuo-Hung

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.55 MB

english, 2012

[IEEE 2014 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) - Hsinchu, Taiwan (2014.4.28-2014.4.30)] Proceedings of Technical Program - 2014 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) - Investigating MLC variation of filamentary and non-filamentary RRAM

Jen-Chieh Liu,, I-Ting Wang,, Hsu, Chung-Wei, Luo, Wun-Cheng, Tuo-Hung Hou,

Рік:

2014

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.22 MB

english, 2014

[IEEE IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. - San Francisco, CA, USA (Dec. 13-15, 2004)] IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. - Low power device technology with SiGe channel, HfSiON, and Poly-Si gate

Wang, H.C.-H., Shang-Jr Chen,, Ming-Fang Wang,, Pang-Yen Tsai,, Ching-Wei Tsai,, Ta-Wei Wang,, Ting, S.M., Tuo-Hung Hou,, Peng-Soon Lim,, Huan-just Lin,, Ying Jin,, Hun-Jan Tao,, Shih-Chang

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 231 KB

english, 2004

[IEEE 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2013.12.9-2013.12.11)] 2013 IEEE International Electron Devices Meeting - 3D vertical TaOx/TiO2 RRAM with over 103 self-rectifying ratio and sub-μA operating current

Hsu, Chung-Wei, Wan, Chia-Chen, Wang, I-Ting, Chen, Mei-Chin, Lo, Chun-Li, Lee, Yao-Jen, Jang, Wen-Yueh, Lin, Chen-Hsi, Hou, Tuo-Hung

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 758 KB

english, 2013

[IEEE 2012 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - San Francisco, CA, USA (2012.12.10-2012.12.13)] 2012 International Electron Devices Meeting - Multi-bit-per-Cell a-IGZO TFT resistive-switching memory for system-on-plastic applications

Wu, Shih-Chieh, Feng, Hsien-Tsung, Yu, Ming-Jiue, Wang, I-Ting, Hou, Tuo-Hung

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.08 MB

english, 2012

Statistical Model and Rapid Prediction of RRAM SET Speed–Disturb Dilemma

Luo, Wun-Cheng, Liu, Jen-Chieh, Lin, Yen-Chuan, Lo, Chun-Li, Huang, Jiun-Jia, Lin, Kuan-Liang, Hou, Tuo-Hung

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.10 MB

english, 2013

[IEEE 2011 IEEE 4th International Nanoelectronics Conference (INEC) - Tao-Yuan, Taiwan (2011.06.21-2011.06.24)] The 4th IEEE International NanoElectronics Conference - High-performance Ni/SiO2/Si programmable metallization cell

Lin, Kuan-Liang, Tseng, Yi-Ming, Lin, Jun-Hung, Shieh, Jiann, Lee, Yao-Jen, Hou, Tuo-Hung, Lei, Tan-Fu

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2011

[IEEE 2007 65th Annual Device Research Conference - South Bend, IN, USA (2007.06.18-2007.06.20)] 2007 65th Annual Device Research Conference - Modeling of Multi-layer Nanocrystal Memory

Hou, Tuo-Hung, Lee, Chungho, Kan, Edwin C.

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 400 KB

english, 2007

Novel Two-Bit-per-Cell Resistive-Switching Memory for Low-Cost Embedded Applications

Wu, Shih-Chieh, Lo, Chieh, Hou, Tuo-Hung

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 368 KB

english, 2011

[IEEE 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - College Park, MD, USA (2011.12.7-2011.12.9)] 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS) - Low-IRESET unipolar HfO2 RRAM and tunable resistive-switching mode via interface engineering

Lin, Kuan-Liang, Hou, Tuo-Hung, Lee, Yao-Jen, Lin, Jun-Hung, Chang, Jhe-Wei, Shieh, Jiann, Chou, Cheng-Tung, Chang, Wen-Hsiung, Jang, Wen-Yueh, Lin, Chen-Hsi

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 995 KB

english, 2011

Enhanced Electrostatics for Low-Voltage Operations in Nanocrystal Based Nanotube/Nanowire Memories

Ganguly, Udayan, Lee, Chungho, Hou, Tuo-Hung, Kan, Edwin Chihchuan

Журнал:

IEEE Transactions on Nanotechnology

Рік:

2007

Мова:

english

Файл:

PDF, 662 KB

english, 2007

Programable molecular orbital states of C[sub 60] from integrated circuits

Hou, Tuo-Hung, Ganguly, Udayan, Kan, Edwin C.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 320 KB

english, 2006

Three-dimensional analytical modeling of nanocrystal memory electrostatics

Ganguly, Udayan, Narayanan, Venkat, Lee, Chungho, Hou, Tuo-Hung, Kan, Edwin C.

Журнал:

Journal of Applied Physics

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 477 KB

english, 2006

[IEEE 2013 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2013.12.9-2013.12.11)] 2013 IEEE International Electron Devices Meeting - Design and optimization methodology for 3D RRAM arrays

Deng, Yexin, Chen, Hong-Yu, Gao, Bin, Yu, Shimeng, Wu, Shih-Chieh, Zhao, Liang, Chen, Bing, Jiang, Zizhen, Liu, Xiaoyan, Hou, Tuo-Hung, Nishi, Yoshio, Kang, Jinfeng, Wong, H.-S. Philip

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.32 MB

english, 2013